檢索結果:共3筆資料 檢索策略: "SiC".ekeyword (精準) and year="105"
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單晶碳化矽晶圓(SiC)為一高崩潰電壓及低阻抗的材料,因此在高功率元件市場上有較大之需求,然而因單晶碳化矽晶圓之高硬度、高抗化學性等性質,使其在製造過程有加工時間繁長及成本高等問題。本研究主要針對單…
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摘要 本研究在MgYZn合金(Mg97Y2Zn1)內分別添加5 wt%及10 wt%的碳化矽(SiC)粉末使用兩階段鑄造方法製備鎂基複合材料,探討其顯微結構、機械性質及腐蝕行為。 研究結果顯示MgY…
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單晶碳化矽晶圓(Silicon Carbide, SiC)在材料特性以及機械性質上相較於其他半導體材料,具有更明顯的優勢,如具有高崩潰電壓及低的阻抗,在高功耗應用端以及半導體市場中越來越受矚目,但也…